China Sistema de fusión de la inducción

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  Fuente de alimentación del transistor de doble célula IGBT de fusión por inducción de seguridad

  melting speed :Quick

  frequency:Medium Frequency

  advantage :Energy Saving

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  Sistema de fusión por inducción de seguridad Fusión rápida con transistor IGBT de bajo mantenimiento

  advantage :Energy Saving

  safety :High

  power supply :IGBT Dual Cell Transistor

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  Fusión de frecuencia con características de seguridad Tecnología de ahorro de energía

  advantage :Energy Saving

  safety :High

  frequency:Medium Frequency

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  Sistema de fusión por inducción de frecuencia media rápida Bajo mantenimiento con fuente de alimentación de transistores de doble célula IGBT

  Ventajas:Ahorro de energía

  Velocidad de fusión:¡ Qué rápido!

  Frecuencia:Frecuencia media

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  Transistor de doble célula IGBT Fuego de fusión por inducción Seguridad Velocidad de fusión rápida

  Mantenimiento:Bajo

  Seguridad:En alto.

  Fuente de alimentación:Transistor dual de la célula de IGBT

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  Inducción rápida de ahorro de energía / seguridad de fusión Fuente de alimentación de frecuencia media

  maintenance :Low

  melting speed :Quick

  advantage :Energy Saving

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  Sistema de fusión por inducción de ahorro de energía rápido IGBT Transistor de doble célula de seguridad de frecuencia media

  advantage :Energy Saving

  maintenance :Low

  power supply :IGBT Dual Cell Transistor

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  Ahorro de energía Sistema de fusión por inducción Seguridad Velocidad de fusión rápida Bajo mantenimiento

  Frecuencia:Frecuencia media

  Mantenimiento:Bajo

  Seguridad:En alto.

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  Sistema de fusión por inducción de seguridad con ventaja de ahorro de energía

  power supply :IGBT Dual Cell Transistor

  maintenance :Low

  melting speed :Quick

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